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當前位置:首頁產品中心光電探測器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb

  • APD410C/M(DP)900~1700nm 雪崩式光電探測器(APD)DC~10MHz (砷化銦InAs/銦砷銻InAsS

    900~1700nm 雪崩式光電探測器(APD)DC~10MHz (砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb) 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外,還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間:2025-09-25
    產品型號:APD410C/M(DP)
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  • APDI-0.8/1.7um-1mm-AG8800~1700nm 雪崩式光電探測器(APD)直徑1.0mm (砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb

    800~1700nm 雪崩式光電探測器(APD)直徑1.0mm (砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb) 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外,還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間:2025-09-25
    產品型號:APDI-0.8/1.7um-1mm-AG8
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  • APDI-0.8/1.7um-0.05mm-AG8800~1700nm 雪崩式光電探測器(APD)直徑 0.05mm (砷化銦InAs/銦砷銻InAs

    800~1700nm 雪崩式光電探測器(APD)直徑 0.05mm (砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb) 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外,還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間:2025-09-25
    產品型號:APDI-0.8/1.7um-0.05mm-AG8
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  • APD130C/M(DP)900~1700nm雪崩式光電探測器(APD) DC~50MHz(砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb

    900~1700nm雪崩式光電探測器(APD) DC~50MHz(砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb) 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外,還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間:2025-09-25
    產品型號:APD130C/M(DP)
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  • PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90InAsSb 紅外光伏探測器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39

    InAsSb 紅外光伏探測器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39 產品總覽 PVA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求

    更新時間:2025-03-08
    產品型號:PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90
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