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innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1280nm 60mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點(diǎn)（QD）有源區(qū)域和專有芯片設(shè)計(jì)，覆蓋970-1330nm光譜

1310nm DFB高功率400mW激光二極管 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點(diǎn)（QD）有源區(qū)域和專有芯片設(shè)計(jì)，覆蓋970-1330nm光譜范圍。 截至今天，DFB激光器

1320nm 高溫高功率DFB芯片 250mW 產(chǎn)品總覽 1320nm高溫高功率DFB激光芯片適合在高溫下工作，具有超低的RIN 噪聲和高輸出光功率等優(yōu)點(diǎn).輸出功率高達(dá)250mW.可根據(jù)客戶的需求提供波長定制服務(wù)

innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1200nm 60mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點(diǎn)（QD）有源區(qū)域和專有芯片設(shè)計(jì)，覆蓋970-1330nm光譜